对LED的普遍的评价是高光效和长寿命，很多厂家宣称其产品光效高达90lm/W或更高，但这些数据只是某些实验室在测试初始阶段，当LED仍处于冷态时测得的{zg}数据。所谓5万小时或10万小时寿命只是早期对小功率单色LED的估算结果。
从LED的发光机理可以估算其理论光效。众所周知，LED是利用载流子复合而发光的，载流子复合时其势能全部转化为光能，单就这一过程而言其内量子效率为{bfb}。但是载流子在介质中与晶格碰撞而损失的能量、复合时载流子所携带的动能，以及为克服外电路电阻而消耗的电能均不可能转化为光能。考虑到各种附加能耗、载流子复合的实际内量子效率不会超过90%。
载流子复合时产生的光子有50%的几率为外向辐射，这50%的光子中一部分与晶格碰撞并为晶格吸收转化为热能，部分光子传输时在不同介质交界面处会反射回原介质并被吸收。此外，作为输出窗的外电极的金属网膜或透明导电膜也将使部分光子反射并被吸收，这些过程都会降低LED的量子提取率。
载流子复合时产生的光子中有50%的几率为内向辐射，这部分光子在到达兼作反射镜的底层导电膜时将部分反射转化为外向输出光，然而此部分光子在向内或向外传输过程中将与晶格碰撞并被部分吸收，而在经过不同介质交界面时也将部分反射或折射回原介质最终被吸收。基底反射镜的反射效率和上述过程的限制而使得内向辐射的光子转化为输出光的量子提取率不会超过40%。
根据以上分析可以估算出LED总的电光转换效率约为54%，这是非常理想的情况下估计的结果。制造工艺中的任何疏漏、材料上的任何缺陷均将造成其能量转换效率的下降。与可见光转换效率不足5%的白炽灯相比，甚至与当前转换效率{zg}的高压钠灯、陶瓷金卤灯相比(电光转换效率约为30%)也是非常高的，这正是LED有十分诱人前景的原因所在。
众所周知，将1W能量全部转化为555nm波长的黄光时产生的光通量可达683lm/W(683lm/W即光功当量)，若全部转换为白光则约为360lm/W。如本文前面的估计，在十分理想情况下发555nm黄光的LED{zg}可能达到约300lm/W的{zg}光效，目前上述估计还远未实现。目前所报道的LED的{zg}光效实际只达到这一理想值的一半，而实际上还不足其1/4，这也正是人们认为LED尚有巨大潜力可挖、对之寄以厚望的原因所在。
提高LED发光效率的关键在于提高量子提取率，亦即尽可能减少光子的内部吸收，这就是LED向超薄型发展的原因。目前{zg}光效的超薄型(厚度数十纳米)GaNLED、其下导电膜采用了高反
