在我们的周围环境甚至我们的身上都会带有不同程度的静电，当静电积累到一定程度时就会发生静电释放。ESD 过程是处于不同电势的物体之间的静电电荷转移过程，其强烈程度受电量大小及物体间距的影响。自然界的雷电现象是强对流气候下典型的ESD现象，瞬间所释放的巨大能量，能将雷电流所经过的空气电离，使空气变成阻值很低的导电通道，形成超强的电流和极高的温度，破坏力极大。
日常生活中的ESD现象在频繁地发生着，虽然没有雷电那么强烈，也会有火花式放电，不仅伴有“噼叭”声响，还会闪闪发光。研究表明，当电压大于8000 V时可以看到ESD发出的光亮，当电压大于6000 V时可以听到ESD的放电声；当电压大于3000V时可以感觉到有ESD发生；而当静电电压低于3000V时，也会发生ESD过程，只是我们没有感觉到而已。也就是说，很多ESD过程是在悄无声息地进行的。
ESD是电脑的无形杀手。笔者的维修生涯中经历过许多电脑故障，根本查不出是什么原因，当时感到莫名其妙，现在想来应该与ESD有关。当静电电压较低时，ESD产生的电气噪声会对逻辑电路形成干扰，引发IC芯片内逻辑电路死锁（Latch Up ），导致数据传输或运算出错，也可能对芯片形成轻微的物理损伤而提前老化或潜在失效；当静电电压超过250V时，ESD就能击穿电脑芯片了。
ESD作用于电脑芯片时，由于放电回路的电阻通常都很小，所以电荷释放的瞬间放电电流会很大。例如将带静电的电缆插到电脑的接口上时，放电回路的电阻几乎为零，形成高达几十安培的放电电流，如此大的尖峰电流一旦从芯片的某个引脚流入，足以将芯片的局部熔化，烧断芯片内的晶体管和金属连线，使芯片产生{yj}性的功能丧失，或者破坏芯片内的钝化层，使芯片性能降低。芯片损坏后，我们从外观上丝毫看不出有什么变化，但利用FESEM 仪器还是可以看清电路熔断的情形。
如今电脑里的CPU芯片、存储器芯片和主板上的南桥、北桥等超大规模集 成电路芯片广泛采用CMOS（复合金属氧化物半导体）材料，CMOS器件具有集成度高、成本低、速度快、能耗低的优点，因此使用范围很广。然而，CMOS器件的一个致命的弱点是输入阻抗很大，很容易被ESD击穿。随着芯片工艺的进步，工作速度加快了，但芯片也变得脆弱了。集成度的提高使得器件尺寸越来越小，器件之间的连线宽度越来越窄，钝化层越来越薄，这些因素都会时芯片对静电放电的敏感性也越大。一个不太高的电压就能将晶体管击穿，一个微小的ESD电流就能将连线熔断。
ESD已成为当今电脑的头号杀手。Intel的研究表明，在引起电脑故障的诸多因素中，ESD是{zd0}的隐患，将近一半的电脑故障都是由EOS／ESD引起的（如图3）。EOS表示过电应力（Electrical Over Stress）。
ESD对电脑的破坏作用具有隐蔽性、潜在性、随机性和复杂性的特点，当我们在接触电脑板卡和芯片时，不管是电脑上有静电，还是我们身体上有静电，ESD都有可能发生在接触的瞬间，可谓防不胜防。
