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AO3400-ASEMI中低压MOS管AO3400参数、封装、尺寸

作者:深圳市强元芯电子有限公司 来源:asemi888 发布时间:2023-11-17 浏览:5
AO3400-ASEMI中低压MOS管AO3400参数、封装、尺寸

编辑:ll

AO3400-ASEMI中低压MOSAO3400参数、封装、尺寸

型号:AO3400

品牌:ASEMI

封装:SOT-23

连续漏极电流(Id):5.8A

漏源电压(Vdss):30V

功率(Pd):1.4W

芯片个数:1

引脚数量:3

类型:MOS

特性:N沟道MOS管、中低压MOS

RDS(on):28 mΩ

VGS1.45

封装尺寸:如图

工作温度:-55°C~150°C

AO3400特性:

AO3400采用先进的沟槽技术,提供优异的RDSON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用.

AO3400应用领域:

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面贴装封装

PWM应用

负载开关

电源管理


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