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美国 KRi 离子源常见工艺应用

作者:伯东企业(上海)有限公司 来源:hakuto 发布时间:2023-07-10 浏览:5
美国 KRi 离子源常见工艺应用

常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
KRI离子源

常见工艺应用

工艺应用

简称

In-situ substrate preclean 预清洁

PC

Ion-beam modification of material and surface properties
材料和表面改性

IBSM

- Surface polishing or smoothing 表面抛光

 

- Surface nanostructures and texturing
表面纳米结构和纹理

 

- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强

 

- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐

 

- Surface-activated bonding 表面键合

SAB

Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜

IBAD

Ion-beam etching 离子蚀刻

IBE

- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻

RIBE

- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻

CAIBE

Ion-beam sputter deposition 离子溅射

IBSD

- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射

RIBSD

- Biased target ion-beam sputter deposition
偏压靶离子束溅射

BTIBSD

Direct deposition 直接沉积

DD

- Hard and functional coatings
硬质和功能性涂料

 


KRI离子源 

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi中国总代理.
 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
                    

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