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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
rom也有很多种，prom是可编程的rom，prom和eprom（可擦除可编程rom）两者区别是，prom是也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而eprom是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种eeprom是通过电子擦出，价格，写入时间很长，写入很慢。手机软件一般放在eeprom中，我们打电话，有些后拨打的号码，暂时是存在sram中的，不是马上写入通过记录（保存在eeprom中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 flash存储器又称闪存，它结合了rom和ram的长处，不仅具备电子可擦除可编程（eeprom）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（nvram的势） rom（eprom）作为它们的存储设备，然而近年来 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系统中的，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（u盘）。目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。 3、flashLM4041DEM3-ADJ TL432QDBZR SI4442DY-T1-E3 AMS1085CD AP3310GH AP40T03GH IRFH8330TRPBF FDS8896 FDS9435A NVD5867NLT4G FDMS5672 FDMS8848NZ NDT3055L 2N7002E-T1-E3 BSP100 FDMS8672S FDS5690 FDC6318P SI1302DL-T1-E3 2N7002K-T1-GE3 PHD77NQ03T FDN336P LMV7239M5X OPA330AIDBVR EUA4890MIR1 LPV321M5X LM2904PWR TPA2010D1YZFR LMV358MMX TLV271CDBVR AD8515AKSZ AS331KTR-G1 OPA2337EA AS324MTR-E1 LMV931MGX LM358ADGKR LM2902KAVQPWR LMV321IDBVR TLV3491AIDBVR OPA356AIDBVR LM7301IM5X LMV331IDCKR MIC2025-1YMM ADF4001BRUZ 74HC4066PW MIC5239YM SN74LVC2G126YZPR 74LVC14AD LM4128DMF-3.0 LM26CIM5-YPE SAF7741HV/N125 AT24C64CN-SH-T SN74LVC1G97QDCKRQ1 74AHCT1G07GW 74LVC2G126DP LP2951ACMM MIC2005-0.8YM6 MIC37101-2.5YM ADP3290JCPZ 74LVC00APW PCA9553DP LM3489MX LP2985IM5X-4.7 LP2980AIM5-3.0 TPS77027DBVR LP2980AIM5X-5.0 LP2985AIM5X-12 TPS799285YZUR TPS79918YZUR LMV431AIM5X MIC5245-2.7BM5 TPS79101DBVR LP2992IM5-3.3 LM1086CS-ADJ FAN1581MX LP2985IM5-2.5 LM3670MFX-ADJ FAN302HLMY LP2992IM5X-1.8 LP2985IM5-3.3 LP3984IMFX-1.8 TPS77018DBVR