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25小时在线 15889737035 可微可电 晶体三 管在电路中常用“Q”加数字说，如：Q1说编号为1的三 管。电路板上的三 管
1、特点：晶体三 管（简称三 管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三 管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
常用的PNP型三 管有：9012、9015等型号；NPN型三 管有：9011、9012、9013、9014、9018、等型号。
2、晶体三 管主要用于放大电路中起放大作用，
应用 多级放大器中间级，低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路
3、晶体三 管的识别常用晶体三 管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律。对于小功率金属封装三 管，按底视图位置放置，使其三个引脚构成等腰三角形的顶点向上，从左向右依次为e、b、c；对于中、小功率塑料封装三 管，按图示1-2位置使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左向右依次为e、b、c 。
处理器（cpu）、绘图芯片（gpu）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（dynamic ram；dram）的规格进化。从非同步的dip、edo dram，到迈向同步时脉操作的sdram开始，以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器，甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。 处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1