CMIC：第三代半导体材料呈双雄并立格局

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　　第一代半导体材料以硅、锗为主，第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为主，从上世界五六十年代以来，两代半导体材料为工业进步、社会发展做出了巨大贡献。如今，以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料以更大的优势力压第一、二代半导体材料成为佼佼者，统称第三代半导体材料。

　　与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场，更高的热导率，更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev)，亦称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅和氮化镓半导体材料，而氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究尚属起步阶段。在一番纷纷扰扰之后，碳化硅和氮化镓无疑成为第三代半导体材料双雄，发展最为迅速。

　　上世纪90年代之后，氮化镓进入快速发展时期，年均增长率达到30%，日益成为大功率LED的关键性材料。此后，氮化镓也同碳化硅一起，进军功率器件市场。2012年，氮化镓市场中仅有两三家器件供应商，2013年以来，陆续有很多公司推出新产品，整体市场空间得到了较好扩充。

　　碳化硅的商业化应用在21世纪才全面铺开，但商业化生产的碳化硅早在1987年就存在了。与低一级的Si相比，碳化硅有诸多优点：有高10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高1倍的饱和漂移速度。因为这些特点，用SiC制作的器件可以用于极端的环境条件下，微波及高频和短波长器件是目前已经成熟的应用市场，而在军用相控阵雷达、通信广播系统中，用SiC做为衬底的高亮度蓝光LED则是全彩色大面积显示屏的关键器件。碳化硅的市场被产业界颇为看好，根据预测，到2022年，其市场规模将达到40亿美元，年平均复合增长率可达到45%。

　　在发展早期，因碳化硅与氮化镓两者的应用领域不同，其直接竞争的机会并不大。但未来随着功率半导体市场向两边横向发展，二者狭路相逢必不可免，届时孰强孰弱，自有定论。

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