三菱电机发售“内置退饱和电压检测功能的1200V HVIC”

三菱电机株式会社将于3月31日发售内置退饱和电压检测功能的HVIC^※1“M81748FP”,，其耐压可达到业界最高的1200 V水平。该产品可用于驱动欧洲等地区的AC 400 V电源逆变器系统中的IGBT等功率半导体器件。

　※1　High Voltage Integrated Circuit：内置功率半导体器件驱动功能的高压集成电路。

内置退饱和电压检测功能的1200V HVIC　“M81748FP”

新产品的特点

1．内置退饱和电压检测功能，有助于降低功率半导体的功耗

・搭载1200V高耐压P沟道MOSFET^※2，在P-侧和N-侧均内置DESAT(退饱和)检测功能，以防止功率半导体的热破坏

・直接检测P-侧的功率半导体短路或接地故障，将故障信号传递至N-侧并关闭系统

・与分流电阻^※3方式短路保护相比，更适用于150A以上额定电流的功率半导体器件，有助于降低其功耗

　※2　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

　※3　检测短路电流的电阻

2．适用于AC400V系电源的逆变器系统，达到1200V高耐压

・1200V耐压分散式RESURF构造^※4，将漏电流^※5抑制在10μA以下

・芯片表面采用PolyRFP^※6结构，具备稳定的高耐压特性

　※4　Reduced surface field：通过优化芯片表面构造，抑制半导体pn接合部的电场集中

　※5　流经半导体电气绝缘接合部位的微弱电流

　※6　Polycrystalline silicon resistor field plate：
在包围高电压电路部的耐压环表面采用多晶硅电阻，使得电场分布具有均匀化的构造

3．高抗噪性，有助于提高逆变器系统的可靠性

・采用可抑制开关时的闭锁故障^※7的埋入层^※8，具备高抗噪性，有助于提高系统的可靠性

　※7　由于在同一芯片上搭载多个元件，抑制噪音等相互影响而发生故障的现象

　※8　元件下层是低电阻扩散层，可降低元件之间的阻抗，抑制噪声带来的影响

发售概要

销售目标

随着节能、高性能家电及工业设备上使用的电机驱动逆变器的不断发展，对逆变器系统用功率半导体的驱动芯片的需求也在不断扩大。

由于欧洲等地区使用AC400V逆变器系统，市场要求提供适用该高电压的高质量1200V耐压HVIC。

本公司此次将发售的高质量1200V HVIC内置了1200V高耐压P沟道MOSFET，具备DESAT检测功能，提高了抗噪性。

防止IGBT等功率半导体热破坏的DESAT检测功能与分流电阻方式短路保护相比，更适用150 A级以上额定电流的功率半导体，并且提供P-侧的接地保护。

该产品可提高AC400V逆变器系统的可靠性及减少功率半导体的功耗。

主要规格

环保考虑

符合RoHS^※9 指令（2011/65/EU）。

　※9　Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

制作工厂

三菱电机株式会社　功率器件制作所

〒819-0192　福冈县福冈市西区今宿东一丁目1番1号

销售公司

三菱电机机电（上海）有限公司

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